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2019-01-22
电子样品金相制备技术分享—制样篇(上)
来源: 作者: 浏览:1807
切割—精密切割机
切割方式建议
实际上绝大多数情况下,都不需要完全沿手大样品的长度方向切开。通常做法是沿宽度方向切开,再对切下的其中一块样品精密切割至感兴趣的位置。尽量减小样品尺寸也便于后续的研磨抛光和显微镜观察。
树脂的选择:环氧树脂
•对于微电子应用来说,低收缩和中等硬度很重要
•表面浮凸较小的树脂通常粘性较低,有利于填充小的孔隙
•环氧树脂可在真空条件下固化,从而提高孔隙填充能力
•在真空下冷镶样品可以消除裹入的空气
案例分享
•芯片尺寸封装 (CSP)
•电镀Ni/Au PCB
•带有焊料的电镀通孔
•铜 –引线键合
1、芯片尺寸封装 (CSP)
步骤一:粒度320/P400CarbiMet 2 砂纸 (手动)
步骤二:粒度 600/P1200 CarbiMet 2砂纸
步骤三:TriDent 3um 抛光
注:编织抛光布–TriDent/VerduTex
步骤四:精抛 (ChemoMet抛光布)
0.05um Al2O3 (Normal pH) 0.06um SiO2 (High pH)
CSP:时间/样品
2、电镀Ni/Au PCB
Au: 0.3-2um
Ni: 5-10um
正常 Ni腐蚀
Au:0.05-0.15um Ni: 3-6um
3、带有焊料的电镀通孔
步骤1:粒度320/P400 CarbiMet 2 砂纸 (手动)
步骤2:粒度 600/P1200 CarbiMet 2砂纸
步骤3:TriDent 9um 抛光
步骤4:TriDent 3um 抛光
步骤5:TriDent 1um 抛光(50x & 200x)
步骤5:精抛
带有焊料的电镀通空:时间/样品
4、铜 –引线键合
步骤1:粒度 600/P1200 CarbiMet 2砂纸
步骤2:TriDent 3um 抛光
步骤3:精抛
铜–引线键合
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