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2018-07-26
三离子束切割仪 Leica EM TIC 3X的旋转抛光样品台制备IC芯片
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电镜样品制备之IC芯片---采用徕卡三离子束切割仪TIC 3X的旋转抛光样品台制备IC芯片
旋转抛光样品台
采用TIC3X的旋转抛光样品台制备
—IC芯片
1号样品：
IC芯片大概长20mm，厚2mm，树脂包埋后直径为32mm，高度11mm。样品客户已经用机械的方式抛光好，但是表面抛光得不是很理想。
以下是客户制备后的样品表面：
采用TIC3X的旋转抛光样品台制备：
不同于离子束切割方式，离子束抛光前需要对样品进行机械抛光，因为两种方式材料去除深度是不一样的，抛光要比切割去除深度浅。
然而，为了说明抛光平台的概念，w66给利老牌没有对这个样品进行额外的机械抛光…(虽然w66给利老牌强烈建议机械抛光的更好一些)
旋转抛光样品台：电压为7kv，角度为12度，工作时间为1个小时。
结果：
2号样品：
样品尺寸为长15mm，厚3mm。样品客户已经做了机械抛光，但是表面抛光效果很差。（见下图）
客户做好后样品表面：
采用TIC3X的旋转抛光样品台制备：
再一次强调，离子束抛光相对于离子束切割方式，材料去除深度要浅，所以要求样品表面要机械抛光好才行（最好在50倍的光学显微镜下看不见划痕）。
这个样品w66给利老牌建议用徕卡精研一体机TXP做前处理，这样整排bonding wire都会显现，并且表面的抛光质量也会高很多。
然而，为了说明抛光平台的概念，w66给利老牌没有对这个样品进行额外的机械抛光…(虽然w66给利老牌强烈建议机械抛光得更好一些)
旋转抛光样品台：电压为8kv，角度为12度，工作时间为1个小时。
结果：由于之前机械抛光效果很差，所以采用8kv的电压抛光一个小时，通常情况是只需要20分钟。金线（铜线）的去除量要比硅多，所以两种材质已经不在同一平面上了（不同的聚焦面）。然而，下图还是能很好地告诉w66给利老牌经过离子束抛光后表面的制备质量得到了明显的提高。
PS.后续w66给利老牌曾用徕卡精研一体机TXP重新制备，但是发现内部之前造成的裂纹太深无法去除。
3号样品：
铜或者金的样品尺寸为长30mm，厚10mm，树脂包埋直径为38mm，高度12mm。（离子束抛光能接受的最大高度）
客户已经采用机械抛光好，样品抛光得还行，但是有划痕。（见下图）
客户提供的样品表面：
采用TIC3X的旋转抛光样品台制备：
这个样品较大，所以包埋后直径为38mm。需要离子束抛光的面积大小为30mmX10mm。
旋转抛光样品台：电压为6kv，角度为12度，工作时间为1个小时。
结果：由于表面抛光效果还行，所以设置电压低一些，只需要30分钟即可。
总结
这些样品很好地说明了徕卡三离子束切割仪中旋转抛光平台的概念。即使遇到直径达38mm的样品的时候，表面能处理的区域也能去到30mm。由于离子束抛光程度如何取决于之前的机械抛光，所以w66给利老牌建议在离子束抛光前机械抛光尽量做得好一些，在50倍的光镜下看不见划痕为宜。
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