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2024-04-07
应用案例 | 电镜样品制备之IC芯片
来源: 作者: 浏览:127
本文采用徕卡三离子束切割仪TIC 3X的旋转抛光样品台制备IC芯片。
IC芯片大概长20 mm，厚2 mm，树脂包埋后直径为32 mm，高度11 mm。样品已经用机械的方式抛光好，但是表面抛光得并不是很理想。
不同于离子束切割方式，离子束抛光前需要对样品进行机械抛光，因为两种方式材料去除深度是不一样的，抛光要比切割去除深度浅。为了说明抛光平台的概念，没有对这个样品进行额外的机械抛光。
02参数设置
旋转抛光样品台：
电压为7 kv，角度为12度，工作时间为1个小时。
03结果
2号样品
样品尺寸为长15 mm，厚3 mm。样品客户已经做了机械抛光，但是表面抛光效果很差。（见下图）
离子束抛光相对于离子束切割方式，材料去除深度要浅，所以要求样品表面要机械抛光好才行（最好在50倍的光学显微镜下看不见划痕）。
这个样品w66给利老牌建议用徕卡精研一体机TXP做前处理，这样整排bonding wire都会显现，并且表面的抛光质量也会高很多。
02参数设置
旋转抛光样品台：
电压为8 kv，角度为12度，工作时间为1个小时。
03结果
由于之前机械抛光效果很差，所以需要采用8 kv的电压抛光一个小时，通常情况是只需要20分钟。金线（铜线）的去除量要比硅多，所以两种材质已经不在同一平面上了（不同的聚焦面）。然而，下图还是能很好地告诉w66给利老牌经过离子束抛光后表面的制备质量得到了明显的提高。
3号样品
铜或者金的样品尺寸为长30 mm，厚10 mm，树脂包埋直径为38 mm，高度12 mm。(离子束抛光能接受的最大高度)。客户已经采用机械抛光好，样品抛光得还行，但是有划痕。
01采用TIC 3X的旋转抛光样品台制备
样品较大，包埋后直径为38 mm。需要离子束抛光的面积大小为30 mmX10 mm。
02参数设置
旋转抛光样品台：
电压为6 kv，角度为12度，工作时间为1个小时。
03结果
由于表面抛光效果还行，所以设置电压低一些，只需要30分钟即可。
以下为客户提供的样品表面（左图）与经过离子束抛光后的表面（右图）对比。
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